相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿!对于硅片生产佳湿度范围为35—45%!气压规定对于大部分洁净空间，为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力（静压）高于外部的压力（静压）！压力差的维持一般应符合以下原则：1．洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力!洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力！
在利用原有建筑进行洁净技术改造时，洁净厂房设计必须根据生产工艺要求，因地制宜、区别对待，充分利用已有的技术设施！洁净厂房设计应为施工安装、维护管理、测试和安全运行创造必要的条件.洁净厂房设计除应按本规范执行外，尚应符合现行的标准、规范的有关要求。洁净厂房设计必须贯彻执行国家的有关方针政策，做到技术、经济合理、安全适用、确保质量，符合节约能源和环境保护的要求。本规范适用于新建和改建、扩建的洁净厂房设计，但不适用于以细菌为控制对象的生物洁净室!
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吹过水平面的气流速度（例如侧送时回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返气流，而造成再污染，这一速度一般不宜大干0！2m/s.乱流洁净室乱流洁净室的主要特点是从来流到出流（从送风口到回风口）之间气流的流通截面是变化的，洁净室截面比送风口截面大得多，因而不能在全室截面或者在全室工作区截面形成匀速气流。所以，送风口以后的流线彼此有很大或者越来越大的夹角，曲率半径很小，气流在室内不可能以单一方向流动，将会彼此撞击，将有回流、旋涡产生!
这就决定乱流洁净室的流态实质是：突变流；非均匀流!这比用紊流来描述乱流洁净室更确切。紊流主要决定于雷诺数，也就是主要受流速的影响，但是如果采用一个过滤器顶送的送风形式，则即使流速极低，也要产生上述各种结果，这就因为它是一个突变流和非均匀流!因此这种情况下不仅有流层之间因紊流流动而发生的掺混，而且还有全室范围内的大的回流、旋涡所发生的掺混！单向流洁净室单向流洁净室一般有两种类型，即水平流和垂直流。在水平流系统中，气流是从一面墙流向另一面墙！
直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0!24um线性膨胀，所以必须有±0！1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多!相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故.相对湿度在50%时易生锈!此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除.
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