另一方面可用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料，如竖罐蒸馏炉、精馏炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等；用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等碳化硅陶瓷材料；还可以制做火箭喷管、燃气轮机叶片等！此外，碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能热水器等的理想材料之一!有色金属利用碳化硅具有耐高温，强度大，导热性能良好，抗冲击，作高温间接加热材料，如坚罐蒸馏炉，精馏炉塔盘，铝电解槽，铜熔化炉内衬，锌粉炉用弧型板，热电偶保护管等.
半导体碳化硅功率模块小型化的特点可大幅削减新能源汽车的电力损失，使其在200℃高温下仍能正常工作。更轻、更小的设备重量减少，减少汽车自身重量带来的能耗.半导体碳化硅材料除了在新能源汽车节能中占有重要地位外，在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均起到了的节能环保作用.让电子设备体积更小将笔记本电脑适配器的体积减少80%，将一个变电站的体积缩小至一个手提箱的大小!这也是碳化硅半导体令人期待的一个方。
河南碳化硅
随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速.其中以碳化硅为主的材料备受关注！尽管如此，但产业难题仍待解决，如我国材料的制造工艺和质量并未达到世界前列，材料制造设备依赖于进口严重，碳化硅器件方面产业链尚未形成等，这些问题需逐步解决，方可让国产半导体材料屹立于世界前列。碳化硅(SiC)是一种硬度很大的重要磨料，但是在应用范围上却超过了一般的磨料！例如，它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的窑具材料之一，而它所具有的导电性使其成为一种重要的电加热元件等.
均匀度好—成圆率大于等于80﹪，粒度均匀，喷后使喷砂器件各处亮度系数保持均匀，不易留下水印！现在比较热门的话题碳化硅（SiC），和小编一起来了解一下：半导体材料经过几十年的发展，代硅材料半导体已经接近晶体，对于硅材料的研究也非常透彻！基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优化和更新，正在逐渐接近硅材料的极限，基于硅材料的器件性能提高的潜力愈来愈小。以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备优异的材料物理特性，为进一步提升电力电子器件的性能提供了更大的空间.
中国碳化硅冶炼生产工艺、技术装备和单吨能耗达到水平!黑、绿碳化硅原块的质量水平也属。中国碳化硅与世界水平的差距主要集中在四个方面：一是在生产过程中很少使用大型机械设备，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅产量较低；二是在碳化硅深加工产品上，对粒度砂和微粉产品的质量管理不够精细，产品质量的稳定性不够；三是某些产品的性能指标与发达国家同类产品相比有一定差距；四是冶炼过程中一氧化碳直接排放！国外主要企业基本实现了封闭冶炼，而中国碳化硅冶炼几乎全部是开放式冶炼，一氧化碳全部直排.
化工可用做炼钢的脱氧剂和铸铁组织的改良剂，可用做制造四氯化硅的原料，是硅树脂工业的主要原料.碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉进行脱氧，和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料消耗，减少环境污染，改善劳动条件，提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。“三耐”材料利用碳化硅具有耐腐蚀、耐高温、强度大、导热性能良好、抗冲击等特性，碳化硅一方面可用于各种冶炼炉衬、高温炉窑构件、碳化硅板、衬板、支撑件、匣钵、碳化硅坩埚等。
其两端与电极相连)等组成!该电炉所用的烧成方法俗称：埋粉烧成.它一通电即为加热开始，炉心体温度约2500℃，甚至更高(2600～2700℃)，炉料达到1450℃时开始合成SiC(但SiC主要是在≥1800℃时形成)，且放出co.然而，≥2600℃时SiC会分解，但分解出的si又会与炉料中的C生成SiC。每组电炉配备一组变压器，但生产时只对单一电炉供电，以便根据电负荷特性调节电压来基本上保持恒功率，大功率电炉要加热约24h，停电后生成SiC的反应基本结束，再经过一段时间的冷却可以拆除侧墙，然后逐步取出炉料.
