LabNanoTM系列是专门为科学研究与工业开发领域的用户而设计的灵活精巧、高度集成的原子层沉积系统!为欧盟CE认证产品。它的操作界面直观简单，初学者容易熟练掌握，配备多种材料的标准沉积工艺配方，使用及维护成本低.原子层沉积，简称ALD，又称原子层沉积或原子层外延（atomiclayerepitaxy），是由芬兰科学家提出并用于多晶荧光材料ZnS:Mn以及非晶Al2O3绝缘膜的研制，这些材料是用于平板显示器.
提供2路到6路前驱体源管路供用户选择。兼容臭氧发生器、微波等离子体源、气氛手套箱、大尺寸多片样品沉积附件等多种选配件.多种标准沉积工艺配方：我们为客户提供多种材料的标准沉积工艺配方，包括在不同条件、不同沉积速率下的工艺配方以满足用户的需求！厚度可控与多种沉积模式：用户可通过设定循环次数和时间来实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积!包括三种沉积模式：连续模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）！
硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：•前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性•沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜•通过控制反应周期数可简单地以原子层厚度控制薄膜沉积的厚度•可广泛适用于各种形状的基底•优异的台阶覆盖性，可生成三维保形性化学计量薄膜，•优异的均匀性和一致性，可生成致密的薄膜，•可沉积深宽比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积•可容易进行掺杂和界面修正•可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物•薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行•固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大•对环境要求包括灰尘不敏感•使用与维护成本低。
硫化物：ZnS，MoS…金属材料：Ru,Pt,W,Ni,Fe,Co…原子层沉积应用领域由发光薄膜材料，扩大到电子器件、机械、化工、能源材料、光学、医学/生物、纳米技术等领域!国内大部分高校及科研院所均设有专门的光学、物理学、薄膜材料学、微电子、通信等专业，研究方向多集中在上述应用范围。随着研究热度的增长，需要不断开发新的原子层沉积技术应用领域!高度集成和灵活性：该系列适用于固态、液态、气态前驱体源!
北京原子层沉积
稳定可靠与低使用维护成本：DualOTM氮气保护的双O-Ring高温密封系统，有效隔绝其他气体渗漏.紧凑的全部加热的管路设计和大面积小体积的腔体结构，结合特殊的尾气处理装置，把前驱体源的浪费减少，既有效地节约了前驱体的使用量，同时又避免了在管路中的残留反应和对真空泵的污染所造成的损失.基片尺寸：4-12英寸可选样品高度：6mm，可选配更高样品选件基片温度：RT-400℃，控制精度±1℃，可选配更高温度选件前驱体输运系统：标准2路前驱体管路，可以选配到6路以上载气系统：N2或者Ar沉积模式：连续模式TM（FlowTM）、停流模式TM（StopFlowTM）、压力调谐模式TM（PreTuneTM）可选件：手套箱，大尺寸/多片样品夹具，颗粒包裹夹具，臭氧发生器，原位监测系统，尾气处理系统，客户定制反应腔等沉积均匀性：Al2O3均匀性±1%电源：50-60Hz220V/15A交流电源，标准金属机柜，易拆卸柜板，可调节支脚仪器尺寸：1100X600X1200mm可沉积材料，包括：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物：WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx！
原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术！理想的ALD生长过程是通过交替把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应而形成沉积薄膜.与传统的化学气相沉积技术CVD相比，ALD技术要求严格地执行交替脉冲前驱体，以避免气相反应的过程!国内外对于原子层沉积技术的不断深入研究，也要求该技术能够制备越来越高，满足不同性能指标的新材料.该设备可以提供利用原子层沉积技术制备更多的材料方法，已开发材料主要如下所示：氧化物：Al2O3,HfO2,La2O3,SiO2,TiO2,ZnO,ZrO2,Ta2O5,In2O3,SnO2,ITO,Fe2O3,MnOx,Nb2O5,MgO,Er2O3…氮化物：WN,Hf3N4,Zr3N4,AIN,TiN,NbNx.
可实现高速沉积、对微孔内壁、超高宽深比结构等复杂异型3D结构的沉积.消除CVD效应和前驱体反流对沉积过程的影响！实现在材料物质改性等领域的重要应用.易操作性：操作界面直观简单,操作者很容易熟练掌握.所有参数（前驱体源温度、管路温度、腔体温度、载气流量，脉冲时间等）均在计算机操作界面中设定修改，整个沉积过程及状态参数均实时显示。所有薄膜沉积模式及工艺配方均可实现自动存储调用！包含多重安全保护机制，如过压保护及出现异常自动关闭ALD阀门防止前驱体泄漏等。
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