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晶圆ESD测试解决方案_Hanwa仪器仪表设备-深圳市易捷测试技术有限公司

  • 产品名称:ESD测试
  • 产品价格:面议
  • 产品数量:999
  • 保质/修期:1
  • 保质/修期单位:
  • 更新日期:2021-08-24
产品说明

  易捷测试提供日本Hanwa主要产品包括:ESD测试仪、CDM测试仪、TLP测试仪、静电放电测试仪、静电图像系统!1)HCE-5000紧凑型ESD测试机2)HED-N5000全自动ESD测试系统3)HED-C5000CDM测试机4)HED-T5000TLP测试机5)HED-W5000M晶圆ESD测试机6)HED-W51000D全自动晶圆ESD测试机ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的。

  深圳市易捷测试技术有限公司,简称易捷测试(GBIT),成立于2011年,总部设在深圳,并在北京、南京、成都等地设有业务网点!易捷测试专业提供半导体晶圆级测试、封装工艺及检测类设备,并专注于提供给客户完整的系统集成服务。易捷测试客户主要涵盖中国具有影响力的研究所、高校和具有研发实力的企业.公司拥有一批在半导体测试领域具有丰富经验的专业技术团队!该团队不仅能为客户提供高质量和多方位的解决方案,也能为客户提供系统化国产化改造服务!

  配有曲线跟-踪-器,用于通过/失败判断,推荐给IC制造商和最终用户!2)HED-C5000CDM测试机此设备是用来测试接触不同电位物质时的破坏性设备符合JEDEC、ESDA、JEITA标准可快速转换不同标准的测试台式尺寸,紧凑,准确可靠的CDM测试仪!配备的CCD摄像机提供FI-CDM和D-CDM模式!可以测量每个引脚的电容!3)HED-T5000TLP测试机HED-T5000|T5000-VF|T5000-HCTLP测试机用于获取器件保护电路的相关参数特性为器件升级提供支持,缩短产品周期提供普通和VF(非常快)型号!

晶圆ESD测试解决方案

  SCM(10pF浪涌)选项可用。ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的!ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的质量稳定都是必不可少的。静电ESD测试仪器/HBMESD测试设备HanwaESD测试设备主要针对HBM、MM、CDM、TLP等常见模型进行分析。1)HCE-5000紧凑型ESD测试机超紧凑型便携式ESD测试机(HBM,MM,HMM)测试仪独立的测试系统,携带方便,空间占用率小,性价比好不用搭配其他PC或Curvetracer便可独立完成HBM、MM和漏电测试适用于现场测试!

  静电放电(ESD:ElectrostaticDischarge),应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS:ElectricalOverStress)破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(几千伏),所以这种损伤是毁灭性的,会造成电路直接烧毁!所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的。ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的质量稳定都是必不可少的.


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  ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的保障质量都是必不可少的。价格适中的多功能手动晶圆级测试仪!专配软件可用于泄漏测量和判断。适用于大多数类型的手动探针台!6)HED-W5100D全自动晶圆ESD测试机ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的!ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的保障质量都是必不可少的.高可支持12英寸300mm晶圆ESD测试方案测试效率高,自动探针台和晶圆映射程序启用了全自动晶圆级ESD测试同时支持package测试配备CCD相机可以与HanwaTLP测试仪,HED-T5000和T5000VFWoks集成在一起,作为不带插座板的高引脚数封装级测试仪.


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  ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的质量稳定都是必不可少的.静电ESD测试仪器/HBMESD测试设备HanwaESD测试设备主要针对HBM、MM、CDM、TLP等常见模型进行分析!4)HED-N5000全自动ESD测试系统可以测试多达1056pin的器件占用空间小适用于ESD测试和latch-up测试,符合新测试标准,板上可容纳8个插座!符合标准(JEDEC,ESDA)与HanwaS5000和Verifire插座板兼容5)HED-W5000M晶圆ESD测试机ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的.

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华强北ESD静电保护元件哪家质量好?翔拓电子啊,大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于其大反向漏电流ID。*小击穿电压VBR和击穿电流IR。VBR是TVS*小的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS 流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其*小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度,可把TVS分为±5%VBR和±10% VBR两种。对于±5%VBR来说,VWM=0.85VBR;对于±10% VBR来说,VWM=0.81 VBR。


供应商信息
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其他未分类
公司地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场C座1205A
企业信息
联系人:张女士
手机:18127076421
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