芯片采用符合工业标准的DFN封装，内部集成ESD保护单元，具有较高的可靠性.YP352833/YP3236W/YP2233W/YP242034/YP352830该射频功率放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，具有较高的增益及线性度；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性！芯片采用QFN封装，尺寸为4mmX4mm,易于系统集成及小型化！VP552228该宽带射频功率放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，具有较高的输出功率和效率；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性！
工作电压vcc范围自8V至2V,且在不同的电源电压下，均有输出功率稳定、隔离度高的特点，井具备良好的相位噪声和谐波抑制！芯片采用符合工业标准的DFN封装形式，封装尺寸2mmx2mm!芯片主要性能指标举例YG602020主要性能指标：－工作频段：50~4000MHz－工作电压：3~0V－增益：18dB@2GHz－输出功率：22dBm@0GHz-OIP3:32dBm@0GHz－单电源供电－封装形式：SOT-89－内部集成有源偏置电路－内部集成ESD保护单元应用领域：-WLAN/WiMAX/WiBro-GSM/CDMA/PCS-WCDMA/LTE-GPS/COMPASS-CMMB-RFID-CATV-ISMYG802020W主要性能指标：－工作频段：50~8000MHz－工作电压：0V－工作电流：10~93mA-PldB:21dBm@5GHz-增益：15dB@5GHz-OIP3:+35dBm@5GHz;+35dBm@2~8GHz(5G通讯n78频段）；+34dBm@3~7GHz(5G通讯n78频段）－封装形式：DFN-2X2-6L应用领域：-5Gmobileapplication/m-MIMO-WLAN/WiMAX/WiBro-WCDMA/LTE-GPS/COMPASS-TDD/FDDSystem-GSM/CDMA/PCS-CATV-ISMYP3236W主要性能指标：－工作频段：300~1000MHz－工作电压：3~0V－功率增益：32dB－输出功率：36dBm@0V－OIP3:48dBm@915MHz－效率：46%@PldB－静态电流：380mA－输入回波损耗：-20dB－封装形式：QFN-16L4mmX4mm－内部集成ESD保护单元－工作温度：-40°C~85°C应用领域：-ISM-CDMA-GSM-RFID-CMMB-TETRA-IOTPA-SignalShieldingDeviceYP2233W主要性能指标：－工作频段：700-2700MHz－工作电压：3-0V－功率增益：26dB@6GHz－输出功率：3SdBm@6GHz,Vcc=5V－静态电流：280mA－输入回波损耗：-15dB－封装形式：QFN-16L4mmx4mm－内部集成ESD保护单元－工作温度：-40°~85°C应用领域：-北斗导航及通信(RDSS)-IEEE8011b/g/n无线局域网-PCS通信系统-4GHzISM无线设备-宽带扩频系统-Repeaters末级功放-IOTPAYP242034主要性能指标：－工作频段：1800~2800MHz－工作电压：3~0V－功率增益：20dB－输出功率：34dBm－EVM:0%@27dBm－静态电流：300mA－内部集成功率检测单元－内部集成ESD保护单元－封装形式：QFN-16L4mmx4mm－工作温度：-40°C~85°C应用领域：－4GHzWIFI－物联网－IEEE8011b/g/n/ac无线局域网－无线网卡、无线AP－Wibro3GHzto4GHz－WiMAX5GHzto7GHz－屏蔽器YP352830主要性能指标：－工作频段：1800-3800MHz－工作电压：3-0V－功率增益：29dB@5GHz－输出功率：30dBm@5GHz－EVM:5%@27dBm,4GHz－静态电流：120mA－内部集成功率检测单元－内部集成ESD保护单元－封装形式：QFN-16L4mmX4mm－工作温度：-40°C~85°C应用领域：－65GHz/5GHz5G移动通讯－4GHzWIFI－物联网－IEEE8011b/g/n/ac无线局域网－无线网卡、无线AP－LTE－Wibro3GHzto4GHz－WiMAX5GHzto7GHz－屏蔽器YP352833主要性能指标:－工作频段：3200~3800MHz－工作电压：3-0V－功率增益：28dB－输出功率：33dBm-ACLR:-37dBc@26dBm,5GHz－静态电流：560mA－内部集成功率检测单元－内部集成ESD保护单元－封装形式：QFN-16L4mmX4mm－工作温度：-40°C~85°C应用领域-5GHzmMIMO驱动级-通用驱动级-屏蔽器末级!
质量好功率放大器芯片/双向PA功放、增益模块哪家便宜
芯片采用符合工业标准的SOT-89封装，内部集成ESD保护单元，具有较高的可靠性。YG802020W该宽带射频增益放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，采用级联电路架构，内部集成有源偏置电路，提高电路线性度，实现温度补偿!芯片采用符合工业标准的DFN封装，内部ESD和VSWR保护单元，具有高可靠性！YG401820该宽带射频增益放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，内部集成有源偏置电路，输入输出匹配至50欧姆，易于系统集成应用.
芯片采用QFN封装，尺寸为4mmX4mm,易于系统集成及小型化.YP163137该射频功放芯片专为北斗导航及通信应用开发，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，具有较高的输出功率和效率；芯片内部集成了ESD保护单元，具有较高的可靠性。芯片采用QFN封装，尺寸仅为4mmX4mm,为终端客户节省了布板空间，便于系统小型化集成。YV257208超宽带VCO芯片YV257208,基于lnGaP/GaAsHBT工艺制程；芯片内部集成负阻振荡管、Buffer放大管、恒流源偏置、有源温补电路和滤波器!
我司目前主要产品有：射频及微波功率放大器芯片（RFAmplifier）、增益模块（GainBlock）、射频开关芯片（RFSwitch）、低噪声放大器芯片（LNA）、微波宽带小信号放大器芯片、射频微波及毫米波压控振荡器（VCO）等，主要应用于3G/4G/5G移动通讯、北斗卫星导航、宽带数字传输、WiFi无线覆盖、无线图传、自组网、AI自动驾驶毫米波传感器等射频微波通信及传感系统！GainBlocks-GaAsHBTActiveBias：YG602020、YG802020W、YG401820-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-FlatgainoverfrequencybandwidthBroadbandPowerAmplifier：YP3236W、YP2233W、YP3035W、YP24343YP552228-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-FlatgainoverfrequencybandwidthSATCOMPowerAmplifier：YP16313YP16303YPM16243YPM163840、YP5135T-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-HighPowerHighGain-ExcellentThermalStabilityandExcellentRuggednessCellular/WiFiPowerAmplifier：YP2233W、YP3035W、YP24343YP24203YP60252YP352830、YP352833-Activebiasprovidesstableperformanceovertemperature-HighPowerHighLinearity-ExcellentThermalStabilityandExcellentRuggednessMCM(MultichipsModule)PowerAmplifier：YPM0205443YPM04074540、YPM16243YPM163840-InternalMatching50Ω,EasyforUse-HighPowerHighGainLNA(GaAsPHEMT)：YL001810TMixer(Double-BalancedGaAsSchottkyDiodes)：YX18Switch(SPDT)：YS36YG602020该宽带射频增益放大器芯片，采用了多项英诺迅科技自主专利技术及先进的lnGaP/GaAsHBT工艺制程，内部集成有源偏置电路，输入输出匹配至50欧姆，易于系统集成应用！
欢迎访问苏州英诺迅科技股份有限公司网站
