但很重要的一点是硅是一种非常丰富的元素.在地球上的每一个地方硅都可以很轻松地获得，并不需要特定的矿厂.而且经过了几十年技术的发展，硅的处理工艺已经发展成熟，人类已经可以可以在工厂中生产的硅晶体。这些硅晶体相对于硅就等于是砖石相对于碳.所以硅就当之无愧地成为了现代计算机芯片的基础!工厂生产好的硅晶体再经过切片处理变成晶圆，然后在经过蚀刻等等多项工艺流程最终制成我们可以使用的芯片！事实上也可以使用碳和锗等材料来生产晶圆，但是在大规模生产中得到所需要的大晶体结构，硅还是稳坐头把交椅!
硅，真是遍布世界，俯拾即是的元素！单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅.如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅！硅有晶态和无定形两种同素异形体！晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点1410C,沸点2355C,密无定形硅是一种黑灰色的粉末！
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硅是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽!原子序数14，相对原子质量28!0855，有无定形硅和晶体硅两种同素异形体，属于元素周期表上IVA族的类金属元素!硅也是极为常见的一种元素，然而它极少以单质的形式在自然界出现，而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式，广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中！硅在宇宙中的储量排在第八位！在地壳中，它是第二丰富的元素，构成地壳总质量的26.4%，仅次于氧（49！4%）硅砂，又名二氧化硅或石英砂。
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硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.12电子伏.载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏·秒，空穴迁移率为480厘米2/伏·秒!本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104~10-4欧·厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要！硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间！热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜！在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。
硅也可以用作其它材料的添加剂，如铸铁，可以使得制成的铁更有韧性而不易碎裂！当需要选择一种材料作为计算机中晶体管的基本材料时，我们需要考虑的关键词是电阻!导体的电阻非常低，可以很容易导电;而绝缘体的电阻很高，不能导电！对于晶体管而言，必须要能够根据需要对晶体管的开关进行控制，我们就需要半导体！半导体的电阻介于导体和绝缘体之间，也就是说其在不同条件下会表现出不同的性质!当然，硅并不是独有的半导体元素，甚至算不上是非常好的!
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