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超高分辨率电子束光刻曝光机_诚信经营仪器仪表-欣源科技(北京)有限公司

  • 产品名称:电子束光刻EBL
  • 产品价格:7000000.00
  • 产品数量:9999
  • 保质/修期:1
  • 保质/修期单位:
  • 更新日期:2021-01-03
产品说明

  包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题,敬请电话或邮件垂询!技术参数:1.小线宽:小于10nm(可实现8nm)2。加速电压:5-50kV3!电子束直径:小于2nm4!套刻精度:20nm(mean2σ)5!拼接精度:20nm(mean2σ)6。加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)7.

  电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一!日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统。

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  型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB.其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm,小束斑直径2nm,套刻精度20nm(mean2σ),拼接精度20nm(mean2σ).欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统,又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等.

  描电镜分辨率:小于2nm主要特点:1!采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2!出色的电子束偏转控制技术3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(addresssize)可达0!0012nm4!采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0!01mrad5!应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs兼容工艺,研究用掩膜制造,纳米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix&Match),图形线宽和图形位移测量等。

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   欣源科技(北京)有限公司,位于北京市海淀区信息路甲28号D座06A-6331。公司主营其他未分类行业,如何了解{推广产品}产品信息详情请拔打热线:13701223713少鹏。

  ==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一.日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统!



供应商信息
欣源科技(北京)有限公司
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手机:13701223713
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