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高纯度碳化硅直销_碳化硅相关-安阳康辉聚合物科技有限公司

  • 产品名称:碳化硅
  • 产品价格:面议
  • 产品数量:1
  • 保质/修期:0
  • 保质/修期单位:
  • 更新日期:2021-05-09
产品说明

  碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石!碳化硅又称碳硅石!在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用较为广泛、经济的一种。可以称为金钢砂或耐火砂!碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3。20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2,是一般磨刀石的材料。

  低品级碳化硅(含SiC约85%)是非常好的脱氧剂,用它可加快炼钢速度,并便于控制化学成分,提高钢的质量!此外,碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9!5级,仅次于金刚石(10级),具有优良的导热性能,是一种半导体,高温时能抗氧化。碳化硅至少有70种结晶型态.α-碳化硅为常见的一种同质异晶物,在高于2000°C高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿).β-碳化硅,立方晶系结构,与钻石相似,则在低于2000°C生成,结构如页面附图所示.


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  高纯度的单晶,可用于制造半导体、制造碳化硅纤维!主要用途:用于3—12英寸单晶硅、多晶硅、石英晶体等线切割!太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料!碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好!

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  此外,它与微波辐射有很强的耦合作用,并其所有之高升华点,使其可实际应用于加热金属!纯碳化硅为无色,而工业生产之棕至黑色系由于含铁之不纯物!晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。在电气工业中,碳化硅可用做避雷器阀体、硅碳电热元件、远红外线发生器等!在电子工业中,如在工业碳化硅炉内或在工业炉上用特别办法培育出来大片完好的碳化硅单晶体,可作为发光二极管(如晶体灯、数字管灯)的基片;高纯碳化硅晶体是制造耐辐射高温半导体的优*资料.

  虽然在异相触媒担体的应用上,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,而另一种碳化硅,μ-碳化硅较为稳定,且碰撞时有较为悦耳的声音,但直至今日,这两种型态尚未有商业上之应用。因其3。2g/cm3的比重及较高的升华温度(约2700°C)[1],碳化硅很适合做为轴承或高温炉之原料物件.在任何已能达到的压力下,它都不会熔化,且具有相当低的化学活性!由于其高热导性、高崩溃电场强度及高最大电流密度,在半导体高功率元件的应用上,不少人试着用它来取代硅[1]。

  碳化硅是化合物半导体的第三代材料!半导体工业的基础是晶片,晶片制造的核心材料按历史过程分为:第1代(目前广泛使用的高纯度硅)半导体,第二代(化镓、磷化铟)化合物半导体,第三代(碳化硅、氮化镓)化合物半导体!由于碳化硅具有较高的物理性能:高禁带宽度(相当于高的击穿电场和功率密度)、高电导率、高热导率,碳化硅将成为未来半导体芯片制造中很广泛使用的基本材料。碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成!

碳化硅纤维具有哪些特点?
英文名为silicon carbide fibre ,是以有机硅化合物为原料经纺丝、碳化或气相沉积而制得具有β-碳化硅结构的无机纤维,属陶瓷纤维类。碳化硅纤维的*高使用温度达1200℃,其耐热性和耐氧化性均优于碳纤维,强度达4410MPa,在*高使用温度下强度保持率在 80%以上,模量为1294GPa,化学稳定性也好。碳化硅纤维主要用作耐高温材料和增强材料,耐高温材料包括热屏蔽材料、耐高温...
英文名为silicon carbide fibre ,是以有机硅化合物为原料经纺丝、碳化或气相沉积而制得具有β-碳化硅结构的无机纤维,属陶瓷纤维类。碳化硅纤维的*高使用温度达1200℃,其耐热性和耐氧化性均优于碳纤维,强度达4410MPa,在*高使用温度下强度保持率在 80%以上,模量为1294GPa,化学稳定性也好。碳化硅纤维主要用作耐高温材料和增强材料,耐高温材料包括热屏蔽材料、耐高温输送带、过滤高温气体或熔融金属的滤布等。用做增强材料时,常与碳纤维或玻璃纤维合用,以增强金属(如铝)和陶瓷为主,如做成喷气式飞机的刹车片、发动机叶片、着陆齿轮箱和机身结构材料等,还可用做体育用品,其短切纤维则可用做高温炉材等。
美国大型SiC底板厂商科锐(CREE)在SiC国际学会“第七届碳化硅与相关材料欧洲会议(ECSCRM)”上,以“Defect Control in SiC Manufacturing”为题,就该公司的SiC底板特性发表了演讲(演讲号码:Tu3-2)。介绍了制造芯片时的成品率与结晶缺陷和中空贯通缺陷(微管)的关系,同时还公布了直径100mm(约4吋)底板上存在的各种位错密度。科锐已开始供应几乎没有微管的直径100mm“无微管”底板。 该公司以已投产的直径100mm的n型4H-SiC底板为例介绍了芯片成品率,对底板表面共有165个结晶缺陷的标准品和只有21个结晶缺陷的低缺陷产品等进行了比较。制作2mm见方芯片时的芯片成品率方面,标准品为94.1%、低缺陷产品为99.2%。芯片尺寸越大,标准品与低缺陷产品的成品率之差就越大,3mm见方芯片中,标准品为87.8%、低缺陷产品为98.2%,5mm见方芯片中,标准品为73.3%、低缺陷产品为95.8%。


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