另一种击穿为雪崩击穿！当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对！新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿!无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏！反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流!反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
二极管的电路符号如图1所示!二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极.三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示!二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管!晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场.当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态！
贴片二极管 电压
由于反向电流很小，二极管处于截止状态!这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大!一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级.温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加.击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿!引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性.
稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性。光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加.
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压!当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通!叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0！5V，锗管约为0！1V。硅二极管的正向导通压降约为0。6~0！8V，锗二极管的正向导通压降约为0。2~0！3V！反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流！
因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏!所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值.高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力!为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用.
因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加！当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样!光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面!当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能！发光二极管发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(LightEmittingDiode)。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成!
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