电子束_高拼接套刻精度仪器仪表曝光-欣源科技(北京)有限公司

作者: 欣源科技(北京)有限公司浏览次数: 135发布时间: 2021-01-03
联系电话: 13701223713

  型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB!其中CABL-9000C系列小线宽可达8nm,小束斑直径2nm,套刻精度20nm(mean2σ),拼接精度20nm(mean2σ).欣源科技SYNERCE代理日本CRESTEC公司的电子束光刻系统,又称作电子束曝光、电子束直写、EBL、E-BeamLithography等!

  电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)电子束直写系统、电子束曝光系统CABL-9000Cseries30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一.日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统!

   欣源科技(北京)有限公司是一家专注其他未分类的企业,在电子束光刻EBL领域深耕十几年,对于电子束,有着敏锐的市场嗅觉,丰富的优化经验,扎实的技术团队。秉承互利互惠,合作双赢的理念,坚持客户至上,信誉的原则。致力于从多渠道,多方位,多平台为客户提供的电子束光刻EBL服务,并受到了客户的一致好评。

   如果您看到这段话,说明您对我们电子束光刻EBL感兴趣,不要犹豫,给我们一个机会,也给自己一个机会。 拿起手机来拨打我们的电话。少鹏等待着您的每一次致电:13701223713 让欣源科技(北京)有限公司为您服务, 我们在北京市海淀区信息路甲28号D座06A-6331这里等您。

  包括30kV、50kV、90kV、110kV、130kV2inch、4inch、6inch、8inch、定制尺寸如有任何需求和相关问题,敬请电话或邮件垂询.技术参数:1.小线宽:小于10nm(可实现8nm)2.加速电压:5-50kV3!电子束直径:小于2nm4.套刻精度:20nm(mean2σ)5。拼接精度:20nm(mean2σ)6!加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)7.

找电子束

  ==================================超高分辨率电子束光刻EBLUltrahighResolutionEBLithography(CABL-UHseries)纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是好的方法之一!日本CRESTEC公司为21世纪先进纳米科技提供的电子束纳米光刻(EBL)系统,或称电子束直写(EBD)、电子束爆光系统.

正宗电子束

  描电镜分辨率:小于2nm主要特点:1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪2.出色的电子束偏转控制技术3!采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(addresssize)可达0。0012nm4!采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad5!应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs兼容工艺,研究用掩膜制造,纳米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix&Match),图形线宽和图形位移测量等.

 
网站首页 | 关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 网站地图 | 排名推广 | 广告服务 | 积分换礼 | 网站留言 | RSS订阅
Processed in 6.652 second(s), 184 queries, Memory 5.76 M