三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件。可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面“三极管”的英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词初所指的物品。其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。电子三极管Triode（俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT（BipolarJunctionTransistor）J型场效应管JunctiongateFET（FieldEffectTransistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称V型槽场效应管VMOS（VerticalMetalOxideSemiconductor）注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）。其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管。VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。各种二极管的符号由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。二极管的电路符号如图1所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。PN结形成原理P型和N型半导体P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。PN结因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。PN结单向导电性在PN结外加正向电压V，在这个外加电场的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动，空穴和PN结P区的负离子中和，电子和PN结N区的正离子中和，这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加，扩散运动进一步增强，漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压，PN结相当于一个阻值很小的电阻，也就是PN结导通。

贴片电阻(SMDResistor)又名片式固定电阻器(ChipFixedResistor)，是金属玻璃釉电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃釉粉混合，采用丝网印刷法印在基板上制成的电阻器[1]。耐潮湿和高温，温度系数小。可大大节约电路空间成本，使设计更精细化。贴片电阻分为以下几大类：高精度高稳定性贴片电阻Highprecision-highstabilityHighprecision-highstability,0201-0603Highprecision-highstability,0805-1210Highprecision-highstability,2010-2512高精密贴片电阻-AR系列的特性与用途－超精密性±0.01%~±1%－TaN和NiCr真空溅镀－温度系数只有±5PPM/°C~±50PPM/°C－WideR-Valuerange－ProductswithPb-freeTerminationsMeetRoHSRequirments常应用于－医疗设备－精密量测仪器－电子通讯，转换器，印表机－AutomaticEquipmentController－CommunicationDevice,Cellphone,GPS,PDA－一般消费性产品常规系列薄膜贴片电阻GeneralpurethinfilmGeneralthinfilm,0201-2512低阻值贴片电阻LowohmicLowohmic,0402-1206Lowohmic,2010-2512贴片电阻阵列ArraysArrays,convexand贴片电流传感器SMDcurrentsensorsCurrentSensors-LowTCR贴片网络电阻器NetworkNetwork,T-typeandL-type另有贴片厚膜排阻，贴片打线电阻，贴片高压电阻，贴片功率电阻等。

贴片电容是一种电容材质。贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。贴片电容有两种表示方法，一种是英寸单位来表示，一种是毫米单位来表示。贴片电容有两种尺寸表示方法，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，这些是英寸表示法，04表示长度是0.04英寸，02表示宽度0.02英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差040210051.00±0.050.50±0.050.50±0.05060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.201.00±0.201.25±0.20120632163.00±0.301.60±0.200.70±0.201.00±0.201.25±0.20121032253.00±0.302.54±0.301.25±0.301.50±0.30180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50222057505.70±0.405.00±0.30≤2.50222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00

熔断器又称电流熔断器，IEC127标准定义为“熔断体”。它主要起到过载保护作用。在电路中正确安装熔断器，熔断器在电流异常上升到一定高度和热度时，自己熔断切断电流，保护电路的安全运行。一百多年前爱迪生发明的熔断器用于保护当时昂贵的白炽灯，随着时代的发展，熔断器保护电力设备不受电流过热的伤害，避免电子设备内部故障造成的严重伤害。形状1、线状。早期原始型态的熔断器，直接用螺钉锁定，用于各种尺寸的旧开关、插座。2.片状(裸片状)。比旧丝状更容易使用。3、玻璃管状。有几种尺寸，常见于电子产品。6.3.x32.mm(直径长x长度)5，x，20，mm，陶瓷管。有几种形状和尺寸，可以避免玻璃破裂。5、塑料片状带金属片状接头:汽车保险丝。6、表面连接部件(SMD)型。7、圆柱体状、插件式:直接焊接在电路板上，用于产品内部。电路发生故障或异常时，随着电流的上升，上升的电流有可能损坏电路中的重要部件，也有可能烧坏电路引起火灾。在电路中正确设置保险丝时，保险丝在电流异常上升到一定的高度和热度时，自己熔断切断电流，起到保护电路安全运行的作用。标志标志大多数保险丝的标记在身上或端盖与标记，指示其评级。但是“芯片类型”保险丝功能很少或没有标记，使识别非常困难。保险丝可能出现类似的显著不同的特性，确定了它们的标记。保险丝标记通常会传达以下信息：安培的保险丝的额定电压等级的保险丝时间-电流特性，即速度保险丝批准由国家和国际标准机构制造商/产品编号/系列中断能力作用一百多年前由爱迪生发明的保险丝用于保护当时昂贵的白炽灯，随着时代的发展，保险丝保护电子/电力设备不受过电流/过热的伤害，避免电子设备因内部故障所引起的严重伤害。工作原理当电流流过导体时，因导体存在一定的电阻，所以导体将会发热。且发热量遵循着这个公式：Q=I2RT；其中Q是发热量，0.24是一个常数，I是流过导体的电流，R是导体的电阻，T是电流流过导体的时间；依此公式我们不难看出保险丝的简单的工作原理了。一种保险丝当制作保险丝的材料及其形状确定了，其电阻R就相对确定了（若不考虑它的电阻温度系数）。当电流流过它时，它就会发热，随着时间的增加其发热量也在增加。电流与电阻的大小确定了产生热量的速度，保险丝的构造与其安装的状况确定了热量耗散的速度，若产生热量的速度小于热量耗散的速度时，保险丝是不会熔断的。若产生热量的速度等于热量耗散的速度时，在相当长的时间内它也不会熔断。若产生热量的速度大于热量耗散的速度时，那么产生的热量就会越来越多。又因为它有一定比热及质量，其热量的增加就表现在温度的升高上，当温度升高到保险丝的熔点以上时保险丝就发生了熔断。这就是保险丝的工作原理。我们从这个原理中应该知道，您在设计制造保险丝时必须认真地研究您所选材料的物理特性，并确保它们有一致几何尺寸。因为这些因素对保险丝能否正常工作起了至关重要的作用。同样，您在使用它的时候，一定要正确地安装它。