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巨磁阻传感器芯片

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最后更新: 2015-06-30 15:37
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公司基本资料信息
 
 
产品详细说明

【双极高灵敏度GMR磁传感器】

产品特点 每片集成一组巨磁电阻(GMR)惠斯通电桥;差分电压(全桥)输出;测量范围:±0.3mT;灵敏度:2.7mV/V·Oe;供电电压:DC1V~DC15V;频率响应:0~1MHz;工作温度范围:-40℃~125℃;*表面贴装封装
应用领域 接近开关、角度传感器、转速传感器、位移传感器、电流检测、磁电编码器、电子罗盘、特种弱磁检测领域。
产品说明 SAD系列是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化,导致电桥输出端的电压产生相应的变化,即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。传感器芯片采用一组GMR惠斯通电桥结构,将磁场转化成差分电压(全桥)输出,高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度,可以测量±0.5mT的磁场,采用超小型尺寸封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。

【双极宽线性GMR磁传感器】

产品特点 体积微小;低电压供电;DC到1M的频率响应 ;线性工作范围宽、线性度好。
应用领域 产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。
产品说明 SAD02宽线性巨磁电阻(GMR)传感器芯片是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化,导致电桥输出端的电压产生相应的变化,即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。宽线性巨磁电阻(GMR)传感器芯片采用一组的GMR惠斯通电桥结构,将磁场转化成差分电压(全桥)输出,具有宽的测量范围、低磁滞、低温漂和优良的线性度,可以测量±2.5mT的磁场。

【全极高灵敏度GMR磁传感器】

产品特点 体积微小;单极响应,不分南北极;灵敏度高;低电压供电;DC到1M的频率响应;线性工作范围宽、线性度好。
应用领域 广泛应用于工业控制、汽车电子、消费电子等领域。
产品说明 SAA系列传感器芯片采用惠斯通电桥形式(图1),该结构可以提供较好的温度补偿。该类传感器通过特殊设计,可产生对磁场敏感的电信号。该类传感器可以用作位置、速度、角度等运动检测,磁介质和电流探测等。
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