直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0!24um线性膨胀，所以必须有±0。1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多.相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故.相对湿度在50%时易生锈.此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以清除.
吹过水平面的气流速度（例如侧送时回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返气流，而造成再污染，这一速度一般不宜大干0！2m/s！乱流洁净室乱流洁净室的主要特点是从来流到出流（从送风口到回风口）之间气流的流通截面是变化的，洁净室截面比送风口截面大得多，因而不能在全室截面或者在全室工作区截面形成匀速气流！所以，送风口以后的流线彼此有很大或者越来越大的夹角，曲率半径很小，气流在室内不可能以单一方向流动，将会彼此撞击，将有回流、旋涡产生!
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此环境空间的设计施工过程即可称为净化工程.洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感.随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势.具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小.例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小.
相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿.对于硅片生产佳湿度范围为35—45%。气压规定对于大部分洁净空间，为了防止外界污染侵入，需要保持内部的压力（静压）高于外部的压力（静压）。压力差的维持一般应符合以下原则：1．洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力.
净化工程费用
注：对于空气洁净度为100级的洁净室内大于等于5微米尘粒的计算应进行多次采样.当其多次出现时，方可认为该测试数值是可靠的，洁净室空气洁净度等级的检验，应以动态条件下测试的尘粒数为依据！洁净厂房设计必须贯彻执行国家的有关方针政策，做到技术、经济合理、安全适用、确保质量，符合节约能源和环境保护的要求!本规范适用于新建和改建、扩建的洁净厂房设计，但不适用于以细菌为控制对象的生物洁净室。本规范有关防火和疏散、消防设施章节的规定，不适用于建筑高度超过24米的高层洁净厂房和地下洁净厂房的设计.
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