由于反向电流很小，二极管处于截止状态！这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压.电击穿时二极管失去单向导电性!
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿!无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏.反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流.反向电流越小，管子的单方向导电性能越好.
原装二极管参数
当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示.不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏！正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区!这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压!当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升！
因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏!所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力.为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用.
正宗保险丝供应厂家_正规电子元器件、材料代理-东莞市青桔子电子科技有限公司 如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高.反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况.在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿.如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿.
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不同类型的二极管有不同的特性参数!伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0!6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0。7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示！对于锗二极管，开启电压为0!2V，导通电压UD约为0！3V.在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS!
通过二极管电流大约多大就算二极管导通了？
二极管的导通与否取决所加的正向偏置电压 电压超过死区电压则导通（硅管死区电压为0.5V 锗管死区电压为0.1V）
二极管到底怎么选择？
300V产品已经成熟，并且量产多种封装及电流。,二极管,二极管批发,二极管厂家,深圳市银联宝电子科技有限公司 金属氧化物整流器及SLVF萧特基流器有三种VF级别可提供： PFC的英文全称为“Power Factor Correction”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量（视在功率）的比值。功率因数是用来衡量用电设备用电...
300V产品已经成熟，并且量产多种封装及电流。,二极管,二极管批发,二极管厂家,深圳市银联宝电子科技有限公司 金属氧化物整流器及SLVF萧特基流器有三种VF级别可提供： PFC的英文全称为“Power Factor Correction”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量（视在功率）的比值。功率因数是用来衡量用电设备用电效率的参数，低功率因数代表低电力效能。
120V相对高压范围，使用独特的SLVF制程制造多款电力电子整流器。 主动PFC电路通常也有两种不同的模式，电流断续模式DCM（Discontinuous Conduction Mode）和电流连续模式CCM（ Continuous Conduction Mode）。其中DCM是指，当电感电流为零时，PFC的MOSFET管被开启的工作状态； 金属氧化物整流器MOS Rectifior PFC...
120V相对高压范围，使用独特的SLVF制程制造多款电力电子整流器。 主动PFC电路通常也有两种不同的模式，电流断续模式DCM（Discontinuous Conduction Mode）和电流连续模式CCM（ Continuous Conduction Mode）。其中DCM是指，当电感电流为零时，PFC的MOSFET管被开启的工作状态； 金属氧化物整流器MOS Rectifior PFC制造之整流器相比一般平面萧特基整流器的优势： 150V?300V高壓應用範圍，PFC量產的金屬氧化物整流器，能提升客戶電源的效率，簡化電路架構，並能降低零件發熱。
（1）标准VF（2）较低VF（3）超低VF 邮 编： 518102 在电源PFC电路中的第二种模式（CCM）主要被用于超过200W功率输出的电源，因为他能够提供相对较低电流噪声峰值，这意味着高功率电源可以有效抑制 电流纹波，输出更为平顺的电流。不过CCM的缺点是耗能较高，并且在升压二极管关闭时，会产生额外EMI，所以我们经常会看到电源整流桥后通常会增加一个 X电容。因此在目前的电源产品中，都会...
（1）标准VF（2）较低VF（3）超低VF 邮 编： 518102 在电源PFC电路中的第二种模式（CCM）主要被用于超过200W功率输出的电源，因为他能够提供相对较低电流噪声峰值，这意味着高功率电源可以有效抑制 电流纹波，输出更为平顺的电流。不过CCM的缺点是耗能较高，并且在升压二极管关闭时，会产生额外EMI，所以我们经常会看到电源整流桥后通常会增加一个 X电容。因此在目前的电源产品中，都会采用CCM模式的PFC电路，虽然功耗略高，也会产生额外的EMI，但是可以有较高水准的功率因数输出。
当接入电源后在R1给开关管VT1提供启动电流，使VT1开始导通，其集电极电流Ic在L1中线性增长，在L2 中感应出使VT1 基极为正，发射极为负的正反馈电压，使VT1 很快饱和。与此同时，感应电压给C1充电，随着C1充电电压的增高，VT1基极电位逐渐变低，致使VT1退出饱和区，Ic 开始减小，在L2 中感应出使VT1 基极为负、发射极为正的电压，使VT1 迅速截止，这时二极管VD1导通，高频变压器T初级绕组中的储能释放给负载。在VT1截止时，L2中没有感应电压，直流供电输人电压又经R1给C1反向充电，逐渐提高VT1基极电位，使其重新导通，再次翻转达到饱和状态，电路就这样重复振荡下去。这里就像单端反激式开关电源那样，由变压器T的次级绕组向负载输出所需要的电压。
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