当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示！不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏！正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区！这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压！当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流！当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流!当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象！PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
N型半导体形成的原理和P型原理相似.在本征半导体中掺入五价原子，如磷等!掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子！在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子！PN结因此，在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素，便形成了P型区和N型区，根据N型半导体和P型半导体的特性，可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异，电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散，它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏.
不同类型的二极管有不同的特性参数！伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0。6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0。7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示.对于锗二极管，开启电压为0。2V，导通电压UD约为0!3V.在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS！
动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比!电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量.高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率!因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成.所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响！大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关！
led发光二极管参数
因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加！当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样!光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面.当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能!发光二极管发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(LightEmittingDiode).和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成！
如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了.因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况.在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿!如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿.
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