PN结形成原理P型和N型半导体P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等.因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性.这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子!
因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏!所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值.高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力！为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值!点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用!
肖特基二极管串联
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象.PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍!例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA！故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性!
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压!当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通.叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0。5V，锗管约为0.1V!硅二极管的正向导通压降约为0.6~0！8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0！3V！反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
不同类型的二极管有不同的特性参数。伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线。二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0!6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示!对于锗二极管，开启电压为0。2V，导通电压UD约为0.3V.在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS.
如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了！因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高.反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿！
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