不同类型的二极管有不同的特性参数!伏安特性二极管具有单向导电性，二极管的伏安特性曲线.二极管的伏安特性曲线在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0！6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0！3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。
因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加！当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面!当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能.发光二极管发光二极管发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件，简称LED(LightEmittingDiode)。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成.
另一种击穿为雪崩击穿！当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对!新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿!无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏!反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流！反向电流越小，管子的单方向导电性能越好!
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍！例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏！又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA！故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性！
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通!叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0!1V!硅二极管的正向导通压降约为0!6~0！8V，锗二极管的正向导通压降约为0!2~0！3V.反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流.
专业二极管 电压
由于反向电流很小，二极管处于截止状态!这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大!一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级.温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加!击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿.引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性!
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动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比.电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量!高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小!若是超过此值.则单向导电性将受影响!大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关.
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