因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏！所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值.高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力!为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用！
值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍.例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏！又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性!
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对!新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿！无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏！反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用下，流过二极管的反向电流!反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。
稳压 二极管封装
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流!当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象！PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分.
二极管的电路符号如图1所示.二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极！三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示.二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管.晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场!当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态!
稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允许值，PN结就不会过热损坏，当外加反向电压去除后，稳压管恢复原性能，所以稳压管具有良好的重复击穿特性！光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照!其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。
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