二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件.它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通.当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止.因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开！二极管是早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛!特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能！
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动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比!电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量！高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率！因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成！所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小！若是超过此值.则单向导电性将受影响.大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关.
贴片稳压二极管符号
由于反向电流很小，二极管处于截止状态！这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大!一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级！温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿!引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性！
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值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍！例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏！又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA.故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性!
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压！当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0！1V！硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0!2~0!3V。反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。
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