可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇！“Triode”（电子三极管）这个是英汉词典里面“三极管”的英文翻译，与电子三极管初次出现有关，是真正意义上的三极管这个词初所指的物品！其余的在中文里称作三极管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode.电子三极管Triode（俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT（BipolarJunctionTransistor）J型场效应管JunctiongateFET（FieldEffectTransistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称V型槽场效应管VMOS（VerticalMetalOxideSemiconductor）注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）.
s8550三极管测试
否则另假设一极为“基极”，重复上述测试，以确定基极!当基极确定后，将黑表笔接基极，红表笔接其它两极若测得电阻值都很少，则该三极管为NPN，反之为PNP。判断集电极C和发射极E，以NPN为例：把黑表笔接至假设的集电极C，红表笔接到假设的发射极E，并用手捏住B和C极，读出表头所示C，E电阻值，然后将红、黑表笔反接重测。若第一次电阻比第二次小，说明原假设成立！理论原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管！
按结构分:NPN、PNP。如图所示：c！按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.d.按功率分：小功率管、中功率管、大功率管e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管f.按结构工艺分：合金管、平面管g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管特征频率当f=fT时，三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.fT称作增益带宽积，即fT=βfo!若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT!
如右图所示当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流！
要注意有些厂家生产一些不规范元件，例如C945正常的脚位是BCE，但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC，这会造成那些粗心的工作人员将新元件在未检测的情况下装入电路，导致电路不能工作，严重时烧毁相关联的元器件，比如电视机上用的开关电源。在我们常用的万用表中，测试三极管的脚位排列图：先假设三极管的某极为“基极”，将黑表笔接在假设基极上，再将红表笔依次接到其余两个电极上，若两次测得的电阻都大(约几K到几十K)，或者都小(几百至几K)，对换表笔重复上述测量，若测得两个阻值相反(都很小或都很大)，则可确定假设的基极是正确的。
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由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Icn，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibn。根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件！其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件!三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种!三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件。
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