6±0！5nm√光纤芯径：400μm√数值孔径：0！22√波长稳定电流范围：7-10A√波长稳定温度范围：20℃-30℃应用：√固体激光器泵浦源主要特性：√输出功率：65W√波长：878.6±0.5nm√光纤芯径：200/400μm可选√数值孔径：0！22√波长稳定电流范围：7-10A√波长稳定温度范围：20℃-30℃应用：√固体激光器泵浦源主要特性：√输出功率：80W√波长：878。6±0！5nm√光纤芯径：400μm√数值孔径：0.
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878!6nm/885nm/808nm用于紫外、超快固态激光泵浦，976nm用于超快光纤激光泵，766nm/780nm用于碱金属气体激光泵浦，793nm用于混合光纤激光泵浦，1550nm用于照明行业、1470nm用于医美行业、780/766nm（碱金属气体激光器泵浦）、785nm/792nm/976nm（光纤激光器泵浦）、405nm/450nm/650nm（加工及照明应用）、以及常见的976nm和808nm激光波长主要特性：√输出功率：30W√波长：878。
22√波长稳定电流范围：7-10A√波长稳定温度范围：20℃-30℃应用：√固体激光器泵浦源特性：√输出功率：15W√波长：808±2nm√光纤芯径：105μm√数值孔径：0.22√波长稳定温度范围：20℃-30℃应用：√固体激光器泵浦源特性：√输出功率：25W√波长：9xx±5nm√光纤芯径/包层：50/125μm√数值孔径：0。22√波长稳定温度范围：20℃-30℃应用：√固体激光器泵浦源√科学研究院半导体激光器市场规模及应用领域，泵浦源作为光纤激光器和固体激光器的泵浦源，是目前半导体激光器的主要应用，半导体激光器约占全球激光器销售额的一半.
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半导体激光器的耦合主要有两个技术流派，分别是单管耦合技术和巴条耦合技术.所谓单管就是我们常说的‘激光芯片’，一小片芯片，即称为单管半导体激光器!而激光巴条可以看做是多个半导体单管并排形成的激光器单条，称之为一个bar，实质上是在同一基底上构建一系列半导体激光器单管而形成的，也可以叫线阵激光器！简单理解就是，多个单管排列成为一个巴条，而一个巴条又可拆分多个单管。目前国内半导体激光器起步较晚，规模型企业相对较少，目前还没有以半导体激光器生产销售为主要业务的上市公司，工业激光市场泵浦源大多采用单管耦合技术，但BAR条耦合技术在功率上又先天优势，随着高功率激光器直接加工市场的飞速发展，采用BAR条耦合技术的泵浦源有的巨大的市场前景。
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我司采用国产激光芯片，全系列88Xnn，锁波长，窄光谱，高功率泵浦源模块：22。5W,30W,65W,80W,120W,200W,与国外供应商展开竞争，我司样品对该市场的渗透广度已经达到60%,固态激光/光纤激光泵浦源，其中878。6nm/885nm/808nm用于紫外、超快固态激光泵浦，976nm用于超快光纤激光泵，766nm/780nm用于碱金属气体激光泵浦，793nm用于混合光纤激光泵浦，1550nm用于照明行业、1470nm用于医美行业、780/766nm（碱金属气体激光器泵浦）、785nm/792nm/976nm（光纤激光器泵浦）、405nm/450nm/650nm（加工及照明应用）、以及常见的976nm和808nm激光波长.
特别是这一技术门槛较高，目前只有DILAS,LIMO等少数外资企业掌握.活力激光团队结合多年的芯片封装经验，经过数年的研发已经成功的掌握了国内的BAR条封装工艺，单个芯片封装单元功率高达200w，为实现KW级高功率激光器奠定了坚实基础！采用国产激光芯片，全系列88Xnn，锁波长，窄光谱，高功率泵浦源模块：22！5W,30W,65W,80W,120W,200W,与国外供应商展开竞争，我司样品对该市场的渗透广度已经达到60%,半导体激光器市场规模及应用领域，泵浦源作为光纤激光器和固体激光器的泵浦源，是目前半导体激光器的主要应用，半导体激光器约占全球激光器销售额的一半.
迄今为止，活力激光已经试制完成766nm碱金属激光器泵浦源和1470nm8*8二维点阵输出的半导体激光器，并正在开发激光焊接应用的9xxnm千瓦级半导体激光器!活力激光目前已经向国内固体激光器头部企业及50%以上的固体激光器企业小批量销售泵浦源!紫外、超快固体激光器泵浦，用于固体激光器泵浦源的波长878。8半导体激光器模块，根据应用不同，输出功率分别有30W、65W、80W、120W、175W等，具体特性见以下.
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