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原装二极管正负极_光纤二极管相关-东莞市青桔子电子科技有限公司

  • 产品名称:二极管
  • 产品价格:面议
  • 产品数量:1000000
  • 保质/修期:2
  • 保质/修期单位:
  • 更新日期:2021-05-22
产品说明

  面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压,适宜在整流电路中使用.平面型二极管平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大。稳压管稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用.稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN结的反向击穿状态.通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小,能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。

  二极管的电路符号如图1所示!二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极!三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示!二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管!晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场!当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态.

  稳压管与一般二极管不一样,它的反向击穿是可逆的,只要不超过稳压管电流的允许值,PN结就不会过热损坏,当外加反向电压去除后,稳压管恢复原性能,所以稳压管具有良好的重复击穿特性.光电二极管光电二极管光电二极管又称光敏二极管!它的管壳上备有一个玻璃窗口,以便于接受光照.其特点是,当光线照射于它的PN结时,可以成对地产生自由电子和空穴,使半导体中少数载流子的浓度提高,在一定的反向偏置电压作用下,使反向电流增加!

  二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通!当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止!因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。二极管是早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛!特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能.

原装二极管正负极


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  在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压!当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0!5V,锗管约为0!1V!硅二极管的正向导通压降约为0.6~0!8V,锗二极管的正向导通压降约为0.2~0!3V!反向特性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流.

  当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示!不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏!正向特性外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区.这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压!当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升.

二极管
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二极管的特性有哪些?
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性...
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增长,二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压,硅管约为0.5V,锗管约为0.1V。硅二极管的正向
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。
对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
  除了补贴外,国家在关税方面对LED行业也进行了减免。今年3月,中国财政部、工业和信息化部、海关总署及国家税务总局四部委联合发布了《关于调整重大技术装备进口税收政策有关目录的通知》,在免征关税和进口环节增值税目录的调整中新增了28项重大技术装备,LED设备成为了受益最为明显的三大新兴产业板块之一。入选《国家支持发展的重大技术装备和产品目录(2012年修订)》的半导体发光二极管(LED)生产设备为新增的3类装备,分别为:金属有机化学气相沉积设备(MOCVD)、等离子体刻蚀机台、氧化铟锡(I-TO)溅射台。按照《通知》规定,自4月1日起,LED三类设备进口零部件免征关税,这就意味着LED设备国产化、自主创新将成为可能。中国科学院院士、中科院半导体所研究员王占国指出,如果能用中国自己制造的设备,成本有望逐步降低,产品的性价比可得以提高。


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